张得玺

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文主题：高功率微波高功率GANP型高分子材料更多>>
发文领域：电子电信兵器科学与技术化学工程核科学技术更多>>
发文期刊：《材料导报（纳米与新材料专辑）》《现代应用物理》更多>>
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P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应被引量：3
《现代应用物理》2018年第3期51-56,共6页张得玺 陈伟 罗尹虹 刘岩 郭晓强 
对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明,在注量为1.5×10^(15)cm^(-2)的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道电子迁移率降低和二维...
关键词：氮化镓功率器件 增强型 栅注入晶体管 GAN 位移损伤效应 
几种高功率微波介质窗材料的研究综述被引量：3
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2009年第2期329-331,346,共4页王茜 苏党帅 焦晓静 张得玺 
高功率微波介质窗的击穿问题已成为高功率微波武器发展的一个技术瓶颈,选择适当的介质材料、提高窗的抗击穿能力是解决此问题的一条重要途径。总结了国内外主要研究机构使用的高功率微波介质窗材料类型及特性,对各自优缺点进行比较分析...
关键词：高功率微波 介质窗 高分子材料 陶瓷 聚四氟乙烯 
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