公祥南

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供职机构:温州大学更多>>
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表面粗糙化来提高SiO2中纳米硅的拉曼强度
《中国科学:物理学、力学、天文学》2011年第7期845-849,共5页张有为 毕大炜 公祥南 边惠 万里 唐东升 
国家自然科学基金(批准号:60807002);低维量子结构与调控教育部重点实验室(湖南师范大学)开放课题基金资助(编号:QSQC1008)资助项目
本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非...
关键词:纳米硅 拉曼散射 声子限制 
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