卢芳超

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发文主题:GAN异质结构ALXGA二维电子气2DEG更多>>
发文领域:电子电信一般工业技术更多>>
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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
《半导体技术》2008年第S1期147-149,共3页唐宁 沈波 韩奎 卢芳超 许福军 秦志新 张国义 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(200800011021;20060001018);北京市自然科学基金(4062017)
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了...
关键词:AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 自旋 
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