张小雷

作品数：1被引量：2H指数：1
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发文主题：超晶格INAS/GASB超晶格INASGASB二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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所获基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究被引量：2
《红外与激光工程》2014年第7期2116-2119,共4页郭杰 张小雷 段剑金 郝瑞亭 许林 
国家自然科学基金(61274137,61176127);云南省自然科学基金(2011FZ078)
采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右...
关键词：INAS GaSb超晶格 红外二极管 表面漏电 阳极硫化 
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