李益欢

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
发文主题：可加工CEPOCE-ZR弱界面可加工陶瓷更多>>
发文领域：化学工程电子电信更多>>
发文期刊：《中国稀土学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《材料工程》更多>>
所获基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
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Monolithically Fabricated OEICs Using RTD and MSM
《Journal of Semiconductors》2006年第4期641-645,共5页胡艳龙 梁惠来 李益欢 张世林 毛陆虹 郭维廉 
国家自然科学基金(批准号:60177010);砷化镓集成电路重点实验实基金(批准号:51432010204JW1401)资助项目~~
Two kinds of monolithically fabricated circuits are demonstrated in GaAs-based material systems using resonant tunneling diodes（RTD） and metal-semiconductor-metal photo detectors（MSM PD）. The electronic characteri...
关键词：resonant tunneling diode metal-semiconductor-metal photo detector device simulation monolithic optoelectronic integration 
基于RTD和HEMT的单稳多稳转换逻辑(MML)模拟
《固体电子学研究与进展》2005年第1期16-19,34,共5页李益欢 梁惠来 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 1770 10 )
用 PSpice对一种由串连的 RTD和 HEMT组成的单稳多稳转换逻辑 (MML)电路进行了模拟。基于自行研制的 RTD的特性曲线提取了合适的器件模型和参数 ,分析了由输入信号调节器件的峰值电流来控制器件翻转次序从而在 MML电路中实现门函数逻辑...
关键词：谐振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 单稳多稳逻辑转换电路 器件建模 门函数逻辑 
可加工Ce-ZrO_2/CePO_4陶瓷材料的裂纹扩展及加工损伤被引量：1
《材料工程》2003年第7期14-16,19,共4页刘志锋 刘家臣 邱世鹏 葛志平 李鸿祥 李益欢 李岩 
对可加工Ce-ZrO_2/CePO_4陶瓷材料中裂纹扩展及加工损伤进行了研究。发现其与一般脆性陶瓷中裂纹扩展有所不同,由于CePO_4的加入在基体中形成了弱界面,在荷载作用下弱界面处易形成微裂纹,并发生裂纹的偏转、分支和桥联等形式,使得材料...
关键词：可加工 裂纹扩展 弱界面 损伤 
ZrO_2/CePO_4可加工陶瓷的性能与压痕裂纹形貌
《中国稀土学报》2003年第z1期90-93,共4页葛志平 赵玉红 邱世鹏 李益欢 
研究了CePO4加入量对ZrO2/CePO4陶瓷材料的力学性能和压痕裂纹形貌的影响。结果表明,在ZrO2组成中加入适量的CePO4可形成强弱界面相互分布的网络结构,在弱界面处裂纹可发生偏转、分支、桥联等形式,从而在保证该材料具有可加工性的同时...
关键词：氧化锆 压痕裂纹 弱界面 可加工性 
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