李统藏

作品数：2被引量：5H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：半导体绝缘层厚度自旋极化电子自旋极化电子注更多>>
发文领域：理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
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开口悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响被引量：2
《物理学报》2005年第8期3962-3966,共5页陈钦 李统藏 石勤伟 王晓平 
国家自然科学基金(批准号:10274076;90406009);中国科学院知识创新工程重大项目(批准号:KJCX1-SW-07)资助的课题~~
采用紧束缚模型研究了悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响.结果表明:有限长悬挂端开口碳纳米管的电导在费米能级附近作周期性振荡.椅型(armchair)碳纳米管的振荡同时具有快、慢两个准周期,而锯齿型(zigzag)碳纳米管的振荡仅有一个...
关键词：电子输运特性 单壁碳纳米管 悬挂 开口 费米能级 周期性振荡 紧束缚模型 耦合强度 振荡周期 有限长 电导 准周期 锯齿型 无限长 平均 
自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算被引量：3
《物理学报》2003年第11期2912-2917,共6页李统藏 刘之景 王克逸 
对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算 .所得结果与最新实验结果相符 ,并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率 ,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零 .
关键词：铁磁金属 自旋极化电子注人 自旋极化率 绝缘层厚度 隧道磁电阻 非零偏压 半导体极化理论 
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