秦国毅

作品数：3被引量：1H指数：1
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发文主题：纳米硅电场超晶格波函数半导体超晶格更多>>
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发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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内电场对纳米硅光致发光谱的影响
《物理学报》2004年第4期1236-1242,共7页黄凯 王思慧 施毅 秦国毅 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 1CB30 9);国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 0 6 0 0 1;6 0 2 90 0 84 ;6 0 2 2 50 1 4)资助的课题~~
从量子限制发光中心模型出发 ,计算了纳米硅的光致发光 (PL)特征与发光中心间的关系 .研究发现 ,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响 .在 2— 5nm的尺寸范围内 ,纳米硅发光中心上的载流子复合概率...
关键词：内电场 纳米硅 光致发光谱 量子限制发光中心 载流子复合率 发光强度 
电场下多量子阱能级和光跃迁的计算
《Journal of Semiconductors》1991年第11期649-656,共8页秦国毅 张志勇 
国家自然科学基金
本文利用迫近递推法(ATM),用准静态近似,以较高的精度模拟实际的带边形状,自治地计算了中等强度电场下,第Ⅰ类 GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As半导体多量子阱的载流子能级和波函数,并由此计算了多阱系光跃迁的吸收系数.结果表明,正如Bleuse等...
关键词：电场 量子阱 能级 光跃迁 半导体 
Ⅰ类和Ⅱ类准周期半导体超晶格的电子子带和波函数被引量：1
《物理学报》1989年第3期366-375,共10页秦国毅 
本文将包迹函数近似推广用于计算有理数近似下,垂直于超晶格轴的波矢K_⊥不等于零时,准周期半导体超晶格(QSS)的电子子带和波函数,对K_⊥=0的情形,分别计算了Ⅰ类的GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Ⅱ类的InAs/GaSb QSS的电子子带和波函数,直至代...
关键词：半导体 超晶格 电子 子带 波涵 数 
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