苏鼎

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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：磁控溅射法DC应力传感器更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
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柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应
《功能材料与器件学报》2008年第5期907-910,共4页苏鼎 张万里 蒋洪川 汤如俊 彭斌 
自然科学基金(编号:50501004);国防预研基金(编号:9140A23060307DZ0223)项目资助
采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律。结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应...
关键词：柔性基底 FeCoSiB非晶磁弹性薄膜 应力阻抗效应 
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