袁铮

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：电学性能探测器CDZNTE核探测器晶体更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《稀有金属材料与工程》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海市科委重大科技攻关项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
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CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响被引量：1
《无机材料学报》2008年第1期195-198,共4页袁铮 桑文斌 钱永彪 刘洪涛 闵嘉华 滕建勇 
国家自然科学基金(60676002);上海市重点学科建设项目(T0101)
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×10^(1...
关键词：核探测器 CDZNTE In掺杂 电学性能 
低压布里奇曼法CdZnTe晶体生长及其热应力模拟被引量：3
《稀有金属材料与工程》2007年第6期1016-1019,共4页刘洪涛 桑文斌 袁铮 闵嘉华 詹峰 
国家自然科学基金项目(10175040);上海市科委重大项目(03DZ11006);上海市教委基金(02AK30)资助
采用有限元方法,对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟,结果表明:晶体在石英安瓿内壁附近,变径处以及头部尖端处的热应力较大,应力值约在108N/m2数量级,晶体中部热应力分布较小且比较均匀,约为107N/m2。为了防止晶...
关键词：cdznTe晶体生长 热应力模拟 探测器 
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