陈坚

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
发文主题：半导体界面二氧化硅激光再结晶激光加工多晶硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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退火对Ar^+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1989年第3期217-221,共5页陈坚 黄信凡 鲍希茂 
本文对CW Ar^+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO_2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子体处理对晶粒间界引入的界面态退火效果更显著,而CO_2激光辐照对应力引入的界面态...
关键词：薄膜 激光加工 半导体界面 结晶 
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