刘海军

作品数：2被引量：6H指数：1
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GaN HEMT外延材料表征技术研究进展被引量：1
《半导体技术》2021年第11期899-908,共10页杜成林 蔡小龙 叶然 刘海军 张煜 段向阳 祝杰杰 
中央高校平台及学科重点建设项目(QTZX2172);ZTE产学研合作项目(HX01202005041)。
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN外延材料的质量决定了高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能,不同材料特征的表征需要不...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 外延材料 表征技术 缺陷分析 
GaN HEMT可靠性光学测试技术研究进展被引量：5
《半导体技术》2020年第9期657-668,共12页杜成林 蔡小龙 孙梓轩 刘海军 张煜 段向阳 陆海 
囯家重点研发计划资助项目(2016YFB0400902)。
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高工作电压、大功率密度、高截止频率等特点,被广泛应用于微波射频领域。然而GaN材料内部的结构缺陷降低了GaN HEMT的可靠性,因此研究器件的结构缺陷对于提升其可靠性具有重要意义。综述了电致...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 可靠性分析 光学测试技术 结构缺陷 
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