王进

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：天津理工大学更多>>
发文主题：ALN衬底温度多层膜磁控ALN薄膜更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《光电子．激光》更多>>
所获基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市科技支撑计划天津市科技计划更多>>
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靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响被引量：3
《光电子．激光》2012年第8期1519-1524,共6页王进 李翠平 杨保和 张庚宇 尹涛涛 苏林 
国家自然科学基金(50972105);天津市自然科学基金(09JCZDJC16500);天津市科技支撑计划(10ZCKFGX01200);天津市科技计划(10SYSYJC27700)资助项目
采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,...
关键词：氮化铝(AlN)薄膜 靶基距 射频(RF)磁控 择优取向 
(100)取向AlN薄膜的制备及其压电性能研究被引量：3
《光电子．激光》2012年第7期1327-1332,共6页尹涛涛 杨保和 李翠平 王进 
国家自然科学基金(50972105);天津市自然基金(09JCZDJC16500);天津市支撑重点项目(10ZCKFGX01200)资助项目
采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底(含Au导电层)上制备了(100)取向的AlN薄膜并研究了工作压强和溅射功率对制备的AlN薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜结构特性,结果表明,在一定范围内,工作压强的增加和溅射功率的减小更...
关键词：ALN薄膜 射频磁控溅射 压电性能 (100)择优取向 
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