赵波

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发文主题：传输线模型TI/AL/NI/AU快速热退火电子隧穿施主更多>>
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非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究
《电子元件与材料》2004年第12期4-6,共3页杜江锋 赵波 罗谦 于奇 靳翀 李竞春 
国家973基础研究(51327);高校博士点基金资助项目(2000061402)
基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成...
关键词：欧姆接触 传输线模型 快速热退火 掺杂浓度 载流子浓度 外扩散 电子隧穿 施主 空位 穿透 
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