郭为

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在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析
《电路与系统学报》2002年第4期9-12,共4页郭为 黄达诠 
本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性。利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对MOSFET的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相...
关键词：CMOS 射频集成电路 设计 稳定性 MOSFET 低噪声放大器 
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