刘欣

作品数:2被引量:1H指数:1
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供职机构:中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
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GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
《电子工业专用设备》2015年第6期31-35,共5页刘欣 魏唯 陈特超 
分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。
关键词:半导体设备 GaN-金属有机化学气相沉积 金属有机化合物源 注入摩尔流量 
射频离子束辅助溅射镀膜设备的研制被引量:1
《电子工业专用设备》2013年第11期1-3,32,共4页陈特超 龙长林 胡凡 刘欣 王慧勇 
介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子束辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射频中和器,解决了采用热灯丝离子源的同类设备中灯丝易被氧化的关键问题,适合于氧化物薄膜制备。
关键词:离子束 溅射 薄膜 射频离子源 溅射靶 
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