刘素平

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供职机构：河北师范大学更多>>
发文主题：哑铃畴温度垂直布洛赫线硬磁畴畴壁更多>>
发文领域：理学艺术文化科学更多>>
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温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第1期32-34,38,共4页刘素平 徐建萍 聂向富 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省自然科学基金资助项目(100147)
实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)
关键词：垂直布洛赫线 VBL 临界面内场 临界温度 第1类哑铃畴 ID畴壁 液相外延石榴石磁泡膜 
温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第1期35-38,共4页徐建萍 刘素平 聂向富 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省自然科学基金资助项目(100147)
实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)
关键词：液相外延石榴石磁泡薄膜 温度 临界面内场 布洛赫线 硬磁畴 第Ⅱ类哑铃畴 
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