硬磁畴

作品数：20被引量：32H指数：2
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相关机构：河北师范大学中国科学院承德民族师范高等专科学校邢台学院更多>>
相关期刊：《四川师范大学学报（自然科学版）》《南开大学学报（自然科学版）》《物理学报》《河北科技大学学报》更多>>
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磁泡材料中硬磁畴与物性的关系
《河北师范大学学报（自然科学版）》2012年第2期147-150,共4页赵淑梅 蔡丽景 
河北省自然科学基金(A2008000254);河北省科技厅科研基金(K20100048)
利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软...
关键词：磁畴 哑铃畴 垂直布洛赫线 磁泡 硬磁畴 
温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响
《河北师范大学学报（自然科学版）》2009年第6期744-748,共5页李海涛 尹世忠 顾建军 胡云志 赵淑梅 孙会元 
河北省自然科学基金(A2009000254);河北师范大学博士基金(L2006B10)
实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度...
关键词：磁畴 磁泡 垂直布洛赫线 
立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响被引量：1
《河北科技大学学报》2009年第3期193-196,共4页尹世忠 孙会元 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省自然科学基金资助项目(A2009000254);河北师范大学博士基金资助项目(L2006B10);河北省科技支撑计划项目课题资助项目(2009SP084)
实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴(普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ID)和第Ⅱ类哑铃畴(IID))畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化...
关键词：临界面内场 硬磁泡 垂直布洛赫线 
面内场对三类硬磁畴的影响被引量：4
《物理学报》2009年第2期1242-1245,共4页胡云志 孙会元 
国家自然科学基金(批准号:10274018);河北师范大学博士基金(批准号:L2006B10)资助的课题~~
采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的...
关键词：硬磁畴 整形 垂直布洛赫线 
软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系
《承德石油高等专科学校学报》2007年第4期42-44,共3页顾建军 李春光 孙会元 
国家自然科学基金(10274018);超高密度磁记录纳米颗粒膜研究;河北省教育厅科研基金(002013);河北师范大学重点科研基金(120203)资助
研究了软畴段的分界面内场与三类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的...
关键词：垂直布洛赫线 软畴段 硬磁畴 面内场 
面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响
《河北师范大学学报（自然科学版）》2007年第2期188-190,199,共4页李秀玲 王丽娜 郭革新 李静 
河北省自然科学基金(100147)
实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时...
关键词：垂直布洛赫线 直流偏场 面内场 
磁泡技术的发展及现状
《承德职业学院学报》2005年第2期74-75,共2页杨素娟 
本文主要介绍了磁泡技术的优势及发展历程,详细阐述了发展现状及最新成果。
关键词：磁泡 磁泡存储器 硬磁畴 垂直布洛赫线(VBL) 
硬磁畴动态特性的进一步研究被引量：1
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第6期586-589,共4页贾莲芝 顾建军 封顺珍 孙会元 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省教育厅科学研究基金资助项目(002013);河北师范大学重点学科资助项目(120203)
实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.
关键词：硬磁畴 直流偏场 转动 上升 证明 VBL 状态 首次 实验研究 固定 
石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法
《物理实验》2004年第5期13-16,共4页郭革新 徐建萍 何文辰 
河北省自然基金项目 (No :1 0 0 1 4 7)
研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” ....
关键词：硬磁畴 石榴石磁泡膜 枝状畴 脉冲偏场 直流偏场 
温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第1期35-38,共4页徐建萍 刘素平 聂向富 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省自然科学基金资助项目(100147)
实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)
关键词：液相外延石榴石磁泡薄膜 温度 临界面内场 布洛赫线 硬磁畴 第Ⅱ类哑铃畴 
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