哑铃畴

作品数：28被引量：9H指数：2
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磁泡材料中硬磁畴与物性的关系
《河北师范大学学报（自然科学版）》2012年第2期147-150,共4页赵淑梅 蔡丽景 
河北省自然科学基金(A2008000254);河北省科技厅科研基金(K20100048)
利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软...
关键词：磁畴 哑铃畴 垂直布洛赫线 磁泡 硬磁畴 
旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性
《河南师范大学学报（自然科学版）》2011年第3期61-63,共3页岂云开 顾建军 贾莲芝 孙会元 
河北省自然科学基金(A2009000254);河北师范大学一般基金(L2009Y03);河北省新型薄膜材料重点实验室开放课题项目;河北民族师范学院2010年度项目(201004)
实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的V...
关键词：垂直布洛赫线 哑铃畴 畴长 缩灭场 
面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响被引量：1
《河北师范大学学报（自然科学版）》2006年第3期290-292,共3页王丽娜 郭革新 聂向富 
国家自然科学基金资助项目(100147)
实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs...
关键词：垂直布洛赫线 第Ⅰ类哑铃畴 直流偏场 面内场 “切尾” 
直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变被引量：1
《河北师范大学学报（自然科学版）》2006年第2期185-187,共3页吴佺 郭革新 聂向富 王丽娜 翟晓霞 刘琳 李静 
国家自然科学基金资助项目(1027401810071002);河北省自然科学基金资助项目(100147);河北师范大学自然科学基金项目(L2004B06)
实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场...
关键词：直流偏场 面内场 第Ⅰ类哑铃畴 条泡转变 
直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性
《河北师范大学学报（自然科学版）》2005年第4期354-356,共3页王丽娜 吴佺 聂向富 郭革新 
国家自然科学基金资助项目(10274018)
研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失...
关键词：垂直布洛赫线 第Ⅰ类哑铃畴 直流偏场 面内场 
面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响被引量：1
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第6期590-592,共3页顾建军 李秀玲 张丽娇 孙会元 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省教育厅科学研究基金资助项目(002013);河北师范大学重点学科资助项目(120203)
实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应...
关键词：临界面内场 垂直布洛赫线 VBL 哑铃畴 直流偏场 随机分布 证明 过程 最大 范围 
转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第3期266-268,共3页贾莲芝 封顺珍 胡海宁 孙会元 
国家自然科学基金资助项目(002014)
通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速...
关键词：转动面内场 硬磁泡畴壁 垂直布洛赫线 哑铃畴 
温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第1期32-34,38,共4页刘素平 徐建萍 聂向富 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省自然科学基金资助项目(100147)
实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)
关键词：垂直布洛赫线 VBL 临界面内场 临界温度 第1类哑铃畴 ID畴壁 液相外延石榴石磁泡膜 
温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响
《河北师范大学学报（自然科学版）》2004年第1期35-38,共4页徐建萍 刘素平 聂向富 
国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省自然科学基金资助项目(100147)
实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)
关键词：液相外延石榴石磁泡薄膜 温度 临界面内场 布洛赫线 硬磁畴 第Ⅱ类哑铃畴 
3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性被引量：2
《河北师范大学学报（自然科学版）》2003年第4期357-359,共3页郭革新 马丽梅 唐贵德 孙会元 聂向富 
河北省自然科学基金资助项目(10 0 147)
研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界...
关键词：硬磁畴 普通硬磁泡 哑铃畴 畴壁 垂直布洛赫线 温度稳定性 临界温度 
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