尚东

作品数:1被引量:25H指数:1
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供职机构:四川大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题:电阻温度系数二氧化钒真空退火氧化钒薄膜氧化钒更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
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特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究被引量:25
《四川大学学报(自然科学版)》2005年第3期523-527,共5页尚东 林理彬 何捷 王静 卢勇 
采用真空蒸发真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻温度关系,及其电阻温度系数与...
关键词:VO2(B)薄膜 真空蒸发 真空退火 
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