武建青

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：超晶格砷化镓砷化铝流体静压力势垒更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第4期303-308,共6页武建青 刘振兴 江德生 孙宝权 
我们研究了７７Ｋ温度下掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同．当在压力下ＡｌＡｓ垒层中的Ｘ基态子能级降至ＥΓ１子能级和ＥΓ２子能级中间或更低能量位置时，未...
关键词：砷化镓 砷化铝 超晶格 低温纵向输送 
GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡
《Journal of Semiconductors》1998年第10期788-792,共5页武建青 江德生 孙宝权 
在ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（１０ｎｍ／２ｎｍ）弱耦合掺杂超晶格Ｉ－Ｖ曲线的第一个平台上，我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡．观测到的最高振荡频率可达１４２ＭＨｚ．这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围１４～３００Ｋ内...
关键词：砷化镓 砷化铝 超晶格 场畴振荡 
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