高志强

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：表面钝化NH半导体类金刚石膜喇曼光谱更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化被引量：1
《物理学报》1995年第8期1328-1334,共7页陈维德 金高龙 崔玉德 段俐宏 高志强 
国家自然科学基金资助的课题
利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高...
关键词：砷化镓 半导体 表面钝化 
金刚石膜和类金刚石膜的电子能量损失谱和喇曼光谱的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第11期655-660,共6页孙碧武 谢侃 赵铁男 刘竞青 齐上雪 张晓平 高志强 林彰达 
用电子能量损失谱(EELS)研究了金刚石膜、类金刚石膜和高取向石墨的特征能量损失峰.金刚石膜的特征峰主要是5.4eV和15eV的带间跃迁,23eV和34eV的表面等离子激元和体等离子激元.类金刚石膜的特征峰主要是 4.5eV的π电子的体等离子激元,1...
关键词：能量损失谱 金刚石 薄膜 喇曼光谱 
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