金高龙

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：砷化镓GAAS金属半导体表面钝化MESFET更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化被引量：1
《物理学报》1995年第8期1328-1334,共7页陈维德 金高龙 崔玉德 段俐宏 高志强 
国家自然科学基金资助的课题
利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高...
关键词：砷化镓 半导体 表面钝化 
CoSi_2可望成为GaAs　MESFET自对准工艺中的栅极材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第8期518-523,共6页金高龙 陈维德 许振嘉 
本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄...
关键词：MESFET 砷化镓 COSI2 栅极 材料 
Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制被引量：2
《Journal of Semiconductors》1993年第11期681-686,T001,共7页金高龙 陈维德 许振嘉 
本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并...
关键词：金属半导体 界面 结构 Si/Co/GaAs 
多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究
《Journal of Semiconductors》1991年第11期700-704,共5页陈维德 金高龙 崔玉德 许振嘉 
本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性....
关键词：多晶硅 掺杂 多层结构 热处理 真空 
Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第5期265-272,共8页金高龙 陈维德 许振嘉 
本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初始As的析出是造成界面突发反应的一个重要因素.实验结果表明:...
关键词：金属/半导体 接触面 反应特性 
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