COSI2

作品数：14被引量：4H指数：1
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相关期刊：《功能材料》《国外科技新书评介》《Journal of Semiconductors》《电子显微学报》更多>>
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CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究
《功能材料》2015年第14期14043-14047,共5页张富春 崔红卫 杨延宁 张威虎 
陕西省自然科学基金资助项目(2014JM2-5058);陕西省教育厅自然科学基金资助项目(2013JK0917);延安市科技攻关资助项目(2013-KG03);榆林市产学研资助项目(036);延安大学科研引导资助项目(YDY2014-02)
采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的...
关键词：CoSi2合金 HubbardU 电子结构 光学性质 
金属的光学常数手册：图表
《国外科技新书评介》2013年第5期10-11,共2页赵树森 
本书是一本数据手册。书中描述了金属元素（Na、Au、Mg、Hg、Sc、Al、Ti、B．sn、V、Cr、Mn、Fe、La、Th等），半金属元素（石墨、sb等），金属化合物（TiN、VC、TiSi、CoSi2等），
关键词：半金属元素 光学常数 手册 图表 金属化合物 COSI2 SN 
CoSi_2合金的制备及其电化学性能研究被引量：1
《南开大学学报（自然科学版）》2009年第6期77-80,共4页刘光 张彦辉 王一菁 焦丽芳 袁华堂 
国家自然科学基金(50631020;50701025);国家863项目(2007AA05Z149;2007AA05Z108;2006AA05Z110);天津市基础研究计划(07JCYBJC03500;07JCEDJC02700)
采用电弧熔炼法成功制备了CoSi_2合金,利用Rietveld结构精修法研究了该合金的晶体结构.精修结果表明CoSi_2晶体属于立方晶系,空间群Fm-3m,晶胞参数α=0.5367 nm.电化学容量和循环寿命测试发现CoSi_2合金经过活化后其电化学容量最大达到1...
关键词：COSI2 合金 电弧熔炼法 RIETVELD精修 电化学性能 
CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察
《电子显微学报》2008年第1期21-25,共5页邢辉 周鸥 孙坚 黄红伟 
利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的...
关键词：界面 COSI2 高分辨电子显微术 
CoSi_2(001)表面的第一原理计算
《科学技术与工程》2007年第17期4433-4434,4447,共3页王国章 
基于广义梯度近似的从头算平面波超软赝势方法,考虑了CoSi2(001)面的Si和Co两种终止表面。结果表明表面能较低的Si终止表面比Co终止表面稳定。但是,由于差距不大,这两种终止表面可以共同存在。两种不同终止表面第1层原子与第2层原子弛...
关键词：从头算 COSI2 表面能 弛豫 
大束流Co离子注入形成CoSi_2/Si Schottky结的特性
《清华大学学报（自然科学版）》2003年第4期561-563,568,共4页王燕 田立林 王玉花 李英 李志坚 
国家教育振兴计划
采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物 Co Si2 ,并首次对其与 Si所形成的 Schot...
关键词：Schottky结 COSI2 金属硅化物 金属蒸汽真空弧 钴离子注入 MOSFET器件 
Double threshold behaviour of I—V characteristics of CoSi2／Si Schottky contacts
《Chinese Physics B》2002年第2期156-162,共7页竺士炀 R.L.VanMeirhaeghe 等 
The Textured Growth Characteristics of Diamond Films on CoSi2 (001)
《材料科学与工程学报》2000年第z2期653-656,共4页C.Z.Gu 
用FIB植入和局部闪光灯熔化法制备亚μmmCoSi2结构
《等离子体应用技术快报》1997年第10期6-7,共2页张正模 
关键词：集成电路 聚集离子束 离子植入 二硅化钴 
利用强流聚焦离子束制作CoSi2微米结构
《等离子体应用技术快报》1996年第4期6-7,共2页张正模 
关键词：聚焦 离子束 钴植入 硅片 微米级 
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