大束流Co离子注入形成CoSi_2/Si Schottky结的特性  

CoSi_2/Si Schottky junction formed by high flux Co ion implantation

作　　者：王燕[1] 田立林[1] 王玉花[1] 李英[1] 李志坚[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《清华大学学报（自然科学版）》2003年第4期561-563,568,共4页Journal of Tsinghua University(Science and Technology)

基　　金：国家教育振兴计划

摘　　要：采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物 Co Si2 ,并首次对其与 Si所形成的 Schottky结特性进行了研究。结果表明85 0℃退火 1m in后已形成 Co Si2 硅化物晶相 ,且结深易于控制。电流特性表明 p型衬底得到了较好的 Schottky结 ,势垒高度为 0 .4 8e V,理想因子为 1.0 9,而 n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大 。Schottky source and drain junctions are a promising structure to minimize the MOSFET short channel effect. Conventional fabrication method use a solid reaction of thin metal layer on a Si wafer at the annealing temperature to form the silicide. However, here a CoSi 2/Si Schottky junction was formed using high flux Co ion implantation. The results show that the CoSi 2 junction is formed after 850 ℃/min rapid thermal annealing. I V results gave a barrier height with p type substrate of 0.48 eV with an ideal factor of 1.09. The Schottky junction formed with an n type substrate has an even larger ideal factor.

关 键 词：Schottky结 COSI2 金属硅化物 金属蒸汽真空弧 钴离子注入 MOSFET器件 

分 类 号：TN311.7[电子电信—物理电子学] TN305.3