李英

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：束流肖特基结电学特性势垒高度电容-电压特性更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《清华大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：面向21世纪教育振兴行动计划更多>>
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大束流离子注入形成CoSi_2/Si肖特基结电学特性被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期265-268,共4页张浩 李英 王燕 田立林 
文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参数提取。...
关键词：肖特基结 势垒高度 电流-电压特性 电容-电压特性 
大束流离子注入形成P-SiCoSi_2/Si肖特基结的电学特性
《固体电子学研究与进展》2005年第1期98-101,共4页李英 王玉花 王燕 田立林 
采用金属离子注入法形式 Co Si2 /Si肖特基结并分析电学特性。分别测量不同退火条件下样品的 I-V、C-V特性 ,得出了各样品的势垒高度、串联电阻和理想因子。结果表明 。
关键词：肖特基 势垒高度 退火条件 
大束流Co离子注入形成CoSi_2/Si Schottky结的特性
《清华大学学报（自然科学版）》2003年第4期561-563,568,共4页王燕 田立林 王玉花 李英 李志坚 
国家教育振兴计划
采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物 Co Si2 ,并首次对其与 Si所形成的 Schot...
关键词：Schottky结 COSI2 金属硅化物 金属蒸汽真空弧 钴离子注入 MOSFET器件 
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