杨尚松

作品数：4被引量：5H指数：2
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双铝电极结构的高性能顶发射有机发光器件被引量：2
《光电子技术》2015年第4期263-267,共5页杨尚松 吴远武 洪乙又 王绪丰 樊卫华 
利用Al/MoO_3作为全反射阳极、Al/LiF作为半透明阴极制备了高性能的Alq_3基顶发射有机发光器件。研究了在金属阴极表面分别生长高折射率的材料Alq_3和MoO_3作为出光耦合层后,对器件性能的影响。经过优化后的器件,其电流效率最大值达到6....
关键词：有机发光二极管 顶发射 微腔效应 
顶发射有机发光二极管中的光学性能研究被引量：1
《光电子技术》2014年第4期304-307,共4页杨尚松 杨建兵 洪乙又 王绪丰 樊卫华 
分别研究了顶发射有机发光二极管光输出耦合层、薄膜封装层以及出光界面对光出射强度的影响,同时综合优化器件的光学性能提出了相应提高硅基OLED器件的性能方法,提出制备高亮度硅基OLED器件新思路。
关键词：顶发射 有机发光二极管 光输出 
遗传算法设计电磁屏蔽减反膜
《光电子技术》2014年第3期201-204,209,共5页杨尚松 胡九龙 洪乙又 王绪丰 樊卫华 
将电磁屏蔽层ITO薄膜作为一层光学薄膜,与TiO2、SiO2、MgF2一起,设计了宽带电磁屏蔽减反膜。给出了含有单层、双层、三层ITO的电磁屏蔽减反膜的膜系结构,其在可见光范围内剩余反射率均小于0.5%,满足ISO9211标准。该薄膜既具备光学减反效...
关键词：薄膜 电磁屏蔽 减反膜 遗传算法 
一种高可靠消除FFS模式TFT-LCD静电引起残像的方法被引量：3
《光电子技术》2013年第4期270-273,共4页陈孝仙 吴添德 杨尚松 杜玙璠 杨斌 郑赛 姚建芳 季春玲 樊卫华 陈建军 洪乙又 
主要研究了FFS模式TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)于不同条件和环境下影像残留现象,简述了残像产生的原因,探讨了其产生的机理和对策方向,为改善相应的显示残像问题提供一种高可靠性的处理方案。
关键词：残像 高可靠性 边缘场开关 液晶显示器 
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