湛志强

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文主题：太赫兹波二元光学光学透镜抗反射透镜设计更多>>
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光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响被引量：1
《广州化工》2020年第8期45-48,61,共5页吴伯涛 曹林洪 周秀文 湛志强 
西南科技大学龙山人才科研支持计划(18LZX438)。
采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加...
关键词：光电化学腐蚀法 多孔硅阵列 工艺优化 结构规整 
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