方建明

作品数：1被引量：5H指数：1
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供职机构：华中科技大学更多>>
发文主题：高功率密度单相逆变器碳化硅SIC半桥电路更多>>
发文领域：电气工程经济管理电子电信更多>>
发文期刊：《电源学报》更多>>
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基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器被引量：5
《电源学报》2016年第4期103-111,共9页李宇雄 黄志召 方建明 陈材 康勇 
国家自然科学基金青年基金资助项目(51507069);台达电力电子科教发展计划青年基金资助项目(DREG2015009)~~
针对目前家用光伏系统、电动汽车(EV)和航空航天等领域中对单相逆变器的高功率密度需求,首先提出了一种基于新型碳化硅(SiC)功率模块的高功率密度单相集成逆变器。该单相逆变器采用直流侧并联BoostAPF抑制二次纹波,以此减小直流侧电容;...
关键词：碳化硅 高功率密度 硬开关 单相逆变器 封装集成技术 
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