云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 黄宇

黄宇: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：教育部更多>>; 发文主题：AL2O3界面态电容特性深能级原子层沉积更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金国家自然科学基金江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目更多>>

检索结果分析

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2016年第2期106-110,共5页黄宇牟文杰闫大为杨国峰肖少庆顾晓峰; 国家自然科学基金资助项目(61504050);中国博士后科学基金资助项目(2013M540437);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUSRP51510);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053); 基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,...; 关键词：Al2O3/n-GaN 原子层沉积背入射紫外光照电容特性界面态分布