李炳生

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供职机构：哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院更多>>
发文主题：亚稳态分子束外延生长量子阱结构闪锌矿ZNCDSE更多>>
发文领域：理学更多>>
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分子束外延生长亚稳态ZnCdSe/MgSe低维量子阱结构及其光学性质
《发光学报》2013年第7期811-815,共5页李炳生 SHEN Ai-dong 
采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样...
关键词：分子束外延 Ⅱ-Ⅵ族量子阱 闪锌矿MgSe 能带带阶 
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