夏国银

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文主题：纳米硅存储器衬底材料氧化硅薄膜开关比更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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SiOx(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究被引量：1
《物理学报》2014年第16期319-326,共8页任圣 马忠元 江小帆 王越飞 夏国银 陈坤基 黄信凡 徐骏 徐岭 李伟 冯端 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB934402,2013CB632101);国家自然科学基金(批准号:61071008,60976001);中央高等学校基本科研基金(批准号:1095021030,1116021004,1114021005);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20130091110024)资助的课题~~
采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可...
关键词：SIOX薄膜 阻变特性 硅悬挂键 热处理 
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