SIOX薄膜

作品数：26被引量：67H指数：4
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相关作者：陈强葛袁静韩尔立张广秋张跃飞更多>>
相关机构：北京印刷学院中国科学院浙江大学哈尔滨商业大学更多>>
相关期刊：《材料热处理学报》《包装工程》《表面技术》《南京工程学院学报（自然科学版）》更多>>
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APCVD制备SiOx薄膜工艺研究被引量：1
《电子工业专用设备》2020年第5期29-33,共5页云娜 康洪亮 高丹 佟丽英 
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或...
关键词：常压化学气相沉积 硅烷 膜厚 流量 沉积温度 
等离子体射流阵列辅助薄膜沉积对环氧树脂表面电气特性的影响被引量：20
《高电压技术》2018年第9期3089-3096,共8页马翊洋 章程 孔飞 王婷婷 陈根永 邵涛 
国家自然科学基金面上项目(11575194);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2014CB239505-3);特高压工程技术(昆明、广州)国家工程实验室项目(NEL201703)~~
直流电场下的绝缘材料表面电荷积聚现象对电气设备的安全运行造成威胁。为了加快环氧树脂（ER）表面电荷的消散,文中采用纳秒脉冲电源激励的大气压等离子体射流（APPJ）阵列,对环氧树脂表面进行扫描处理,沉积SiOx薄膜,之后利用傅里叶变...
关键词：射流阵列 SIOX薄膜 表面电荷 环氧树脂 闪络电压 
PECVD法制备纳米多孔SiO_x薄膜被引量：1
《包装工程》2017年第19期35-40,共6页曹玥 王灿 张改梅 宋晓利 陈强 
国家自然科学基金(51305038);北京印刷学院科技面上项目(Eb201701)
目的研究基于等离子体增强气相化学沉积(PECVD)制备多孔SiO_x薄膜的方法。方法以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,并通入氧气、氩气,再加入少量的有机物质,通过辉光放电的方式形成等离子体,从而在玻璃基材表面沉积,制备出氧化硅薄膜,再在...
关键词：多孔SiOx薄膜 折射率 单体 沉积率 
常压射频放电占空比对SiO_x薄膜形貌和成分的影响
《东华大学学报（自然科学版）》2017年第1期139-143,共5页任吉达 张杰 韩乾翰 赵文亮 郭颖 石建军 
国家自然科学基金资助项目(11475043;11375042)
采用常压射频等离子体放电技术,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)和Ar的混合气体为反应源,成功制备了SiO_x薄膜.通过测量放电的电流-电压曲线以及发射光谱,研究不同占空比对射频放电段放电特性的影响;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS...
关键词：常压射频等离子体 脉冲调制 占空比 SIOX薄膜 
SiOx(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究被引量：1
《物理学报》2014年第16期319-326,共8页任圣 马忠元 江小帆 王越飞 夏国银 陈坤基 黄信凡 徐骏 徐岭 李伟 冯端 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB934402,2013CB632101);国家自然科学基金(批准号:61071008,60976001);中央高等学校基本科研基金(批准号:1095021030,1116021004,1114021005);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20130091110024)资助的课题~~
采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可...
关键词：SIOX薄膜 阻变特性 硅悬挂键 热处理 
基于Cu/SiO_x/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究被引量：1
《物理学报》2014年第6期227-234,共8页陈然 周立伟 王建云 陈长军 邵兴隆 蒋浩 张楷亮 吕联荣 赵金石 
国家自然科学基金(批准号:61274113;11204212);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-1064);天津市科技计划项目(批准号:13JCYBJC15700;13JCZDJC26100);天津市高等学校科技发展基金计划(批准号:20100703;20130701)资助的课题~~
采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件.用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力...
关键词：阻变存储器 SIOX薄膜 多值存储 阻变机理 
SiO_x薄膜微结构的正电子谱学研究
《南京工程学院学报（自然科学版）》2013年第3期28-31,共4页马敏阳 段宇 
南京工程学院校级科研基金项目(QKJB2011006)
实验中选择Si（N型，（100面），3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底，利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜，并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没...
关键词：SIOX薄膜 射频磁控溅射 退火 正电子湮没 慢正电子束流 多普勒展宽谱 S参数 
4H-SiC表面热氧化生长SiO_x薄膜特性的研究被引量：1
《量子电子学报》2010年第4期474-479,共6页陈厦平 朱会丽 蔡加法 
福建省自然科学基金(2009J05151)
采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiO_x)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiO_x薄膜和SiO_x/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其...
关键词：材料 SIOX薄膜 热氧化 X射线光电子能谱 4H—SiC 
纸张表面射频磁控溅射SiOx薄膜的研究被引量：1
《中国印刷与包装研究》2010年第S1期413-416,421,共5页刘壮 孙智慧 马新欣 林晶 
黑龙江省教育厅科研项目(No.11541079)
氧化硅薄膜因其优异的阻隔、电学、光学以及环境友好性能而广泛应用于各种工业场合。可以在多种衬底上制备硅氧化物,常见的如硅、玻璃和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。然而,目前所见报端的文献很少有以纸张为基材的。本文即研究在纸张表...
关键词：氧化硅 磁控溅射 纸张 粗糙度 印刷适性 
塑料薄膜基上镀纳米SiOx涂层的表征及性能研究被引量：1
《中国印刷与包装研究》2010年第S1期422-422,共1页张改梅 陈强 何存富 朱惠钦 
国家自然科学基金(No.50775005);北京市市委组织部优秀人才培养项目(No.09000001)
本文利用等离子体气相化学沉积(PECVD)的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜上制备了纳米厚度的SiOx涂层。使用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和超声原子力显微镜(UAFM)对纳米厚度的SiOx薄膜进...
关键词：SIOX薄膜 阻隔性 超声原子力显微镜 表征 
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