朱会丽

作品数：7被引量：12H指数：2
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供职机构：集美大学理学院更多>>
发文主题：4H-SIC雪崩光电探测器SIC钝化膜微弱信号更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《光谱实验室》《福州大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》《厦门大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省教育厅资助项目厦门市科技计划项目更多>>
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纤锌矿结构ZnO(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面稳定几何及电子结构性质被引量：1
《厦门大学学报（自然科学版）》2015年第1期80-86,共7页周昌杰 吴雅苹 陈晓航 周颖慧 朱会丽 康俊勇 
国家自然科学基金(91321102;11304257;61227009);福建省自然科学基金(2011J05006;2009J05149;2014J01026);福建省教育厅资助项目(JA09146);黄慧贞集美大学学科建设基金资助项目(ZC2010014);集美大学科研启动金项目(ZQ2011008;ZQ2009004)
采用超高真空分子束外延和扫描隧道显微(STM)技术,对纤锌矿结构ZnO单晶(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面进行了STM形貌扫描和扫描隧道谱(STS)测量.STM表征结果显示,(0001)-Zn极性表面形成了以单层高度交替出现的直线型和锯齿型台面的大表...
关键词：ZNO 极性表面 扫描隧道显微 扫描隧道谱 偶极矩 
4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究
《光谱实验室》2010年第4期1597-1600,共4页陈厦平 朱会丽 
福建省自然科学基金项目资助(No.2009J05151);厦门市科技计划项目(No.350z20031076)资助
基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式。对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H...
关键词：4H-SIC 吸收系数 紫外(UV) 
4H-SiC表面热氧化生长SiO_x薄膜特性的研究被引量：1
《量子电子学报》2010年第4期474-479,共6页陈厦平 朱会丽 蔡加法 
福建省自然科学基金(2009J05151)
采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiO_x)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiO_x薄膜和SiO_x/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其...
关键词：材料 SIOX薄膜 热氧化 X射线光电子能谱 4H—SiC 
用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究被引量：3
《量子电子学报》2007年第6期743-747,共5页朱会丽 陈厦平 吴正云 
对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究。通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10^(-4)Ωcm^2。分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和...
关键词：光电子学 4H—SiC P型欧姆接触 X射线光电子能谱 雪崩光电探测器 
不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究
《福州大学学报（自然科学版）》2007年第S1期8-10,共3页吕英 庞爱锁 杨伟锋 陈厦平 朱会丽 吴正云 
采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含...
关键词：SIC ICP刻蚀 工作压强 表面损伤 
吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第2期284-288,共5页朱会丽 陈厦平 吴正云 
设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiplejunctionter mination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场.对器件的暗电流、光...
关键词：4H-SIC 紫外光 雪崩光电探测器 吸收层 倍增层分离 
多层InA s量子点的光致发光研究被引量：3
《半导体光电》2005年第6期519-522,526,共5页孔令民 蔡加法 陈厦平 朱会丽 吴正云 牛智川 
采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰...
关键词：多层InAs量子点 光致发光 时间分辨谱 
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