4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究  

Research and Analysis on Absorption Coefficient of 4H-SiC at Ultraviolet Wavelength

作　　者：陈厦平[1] 朱会丽[2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系 [2]集美大学理学院

出　　处：《光谱实验室》2010年第4期1597-1600,共4页Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory

基　　金：福建省自然科学基金项目资助(No.2009J05151);厦门市科技计划项目(No.350z20031076)资助

摘　　要：基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式。对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H-SiC光电探测器结构设计的一个重要依据。Based on the previous reports on the absorption coefficients of 4H-SiC at 325—390nm,the extrapolation and polynomial fitting methods for analysis of the absorption coefficients of 4H-SiC at 200—400nm was established.And the relationship between the absorption coefficient and the wavelength was obtained.

关 键 词：4H-SIC 吸收系数 紫外(UV) 

分 类 号：O434.2[机械工程—光学工程] TN304.7[理学—光学]