陈厦平

作品数：13被引量：15H指数：2
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供职机构：厦门大学更多>>
发文主题：4H-SIC紫外光电探测器雪崩光电探测器光电子学外延片更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《表面技术》《光谱实验室》《福州大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》更多>>
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4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究
《量子电子学报》2016年第6期770-774,共5页蔡加法 陈厦平 吴少雄 吴正云 
国家自然科学基金(61176049)~~
分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随...
关键词：光电子学 4H-SIC p-i-n紫外光电探测器 电容-电压 深能级缺陷 
含氢DLC膜的疏水性研究被引量：1
《表面技术》2016年第5期154-161,共8页魏晓丽 张玲 陈厦平 王辅明 
国家重点基础研究发展计划(2012CB933502)~~
目的通过疏水性质的研究,证明源电极式和浸入式PECVD方法制备含氢DLC膜存在结构和性质上的差别,并且证明浸入式PECVD方法制备的含氢DLC膜更适于需要强疏水性的表面改性应用。方法在PECVD腔体中通入甲烷和氢气混合气体,同时在面对源电极...
关键词：类金刚石 PECVD 含氢 掺氟 带隙 接触角 疏水性 
KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO_2薄膜被引量：1
《量子电子学报》2015年第6期673-677,共5页张自锋 张志威 洪荣墩 陈厦平 吴正云 
国家自然科学基金资助项目(61176049;61307047)
在常温下,用射频磁控溅射在石英衬底上沉积厚度约为200 nm的TiO_2薄膜,使用波长为248 nm的KrF脉冲激光器,在不同功率密度下对薄膜样品进行辐照退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)、X射线电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、扫...
关键词：激光技术 KrF脉冲激光 薄膜 TiO2 光学特性 
4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
《量子电子学报》2011年第6期737-741,共5页郑云哲 林冰金 张明昆 蔡加法 陈厦平 吴正云 
福建省自然科学基金资助项目(2009J05151)
利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随...
关键词：光电子学 4H—SiC p—i—n紫外光电探测器 温度特性 光电特性 
4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
《量子电子学报》2011年第6期742-747,共6页钟林瑛 洪荣墩 林伯金 蔡加法 陈厦平 吴正云 
福建省自然科学基金项目(2009J05151)资助
应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3...
关键词：光电子学 4H—SiC APD 光谱响应 探测率 
4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究
《光谱实验室》2010年第4期1597-1600,共4页陈厦平 朱会丽 
福建省自然科学基金项目资助(No.2009J05151);厦门市科技计划项目(No.350z20031076)资助
基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325—390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200—400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式。对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H...
关键词：4H-SIC 吸收系数 紫外(UV) 
4H-SiC表面热氧化生长SiO_x薄膜特性的研究被引量：1
《量子电子学报》2010年第4期474-479,共6页陈厦平 朱会丽 蔡加法 
福建省自然科学基金(2009J05151)
采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiO_x)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiO_x薄膜和SiO_x/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其...
关键词：材料 SIOX薄膜 热氧化 X射线光电子能谱 4H—SiC 
用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究被引量：3
《量子电子学报》2007年第6期743-747,共5页朱会丽 陈厦平 吴正云 
对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究。通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10^(-4)Ωcm^2。分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和...
关键词：光电子学 4H—SiC P型欧姆接触 X射线光电子能谱 雪崩光电探测器 
不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究
《福州大学学报（自然科学版）》2007年第S1期8-10,共3页吕英 庞爱锁 杨伟锋 陈厦平 朱会丽 吴正云 
采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含...
关键词：SIC ICP刻蚀 工作压强 表面损伤 
吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第2期284-288,共5页朱会丽 陈厦平 吴正云 
设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiplejunctionter mination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场.对器件的暗电流、光...
关键词：4H-SIC 紫外光 雪崩光电探测器 吸收层 倍增层分离 
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