吕英

作品数：4被引量：14H指数：2
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供职机构：厦门大学更多>>
发文主题：ICP刻蚀AZO薄膜透明导电薄膜SIC感应耦合等离子体刻蚀更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《光谱实验室》《福州大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》更多>>
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RF磁控溅射功率对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响被引量：10
《光电子．激光》2008年第12期1648-1652,共5页杨伟锋 刘著光 吕英 黄火林 吴正云 
采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜，通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率（50-300w）对薄膜的组织结构和电学，光学性能的影响。分...
关键词：RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜 
氩气压强对射频磁控溅射ZnO∶Al薄膜结构和性能的影响被引量：2
《光谱实验室》2008年第3期425-427,共3页刘著光 杨伟锋 吕英 黄火林 吴正云 
以ZnO∶Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO∶A l(AZO)薄膜,通过XRD、AFM以及H all效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,当压强为1.2Pa时...
关键词：RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜 
一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第3期570-573,共4页杨伟锋 蔡加法 张峰 刘著光 吕英 吴正云 
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电...
关键词：4H-SIC 金属-半导体-金属 一维阵列 响应度 
不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究
《福州大学学报（自然科学版）》2007年第S1期8-10,共3页吕英 庞爱锁 杨伟锋 陈厦平 朱会丽 吴正云 
采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含...
关键词：SIC ICP刻蚀 工作压强 表面损伤 
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