张峰

作品数：4被引量：8H指数：2
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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题：4H-SICSIC薄膜光学基底电子束蒸发更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《光学学报》更多>>
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Structural,Electrical,and Optical Properties of Transparent Conductive Al-Doped ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2311-2315,共5页杨伟锋 刘著光 张峰 黄火林 吴正云 
Highly conductive transparent Al-doped zinc oxide （AZO） films with highly （002）-preferred orientation were successfully deposited on glass substrates at room temperature by RF magnetron sputtering. Optimization of...
关键词：RF magnetron sputtering transparent conductive film AZO film 
4H-SiC基底Al2O3／SiO2双层减反射膜的设计和制备被引量：4
《光学学报》2008年第12期2431-2435,共5页黄火林 张峰 吴正云 齐红基 姚建可 范正修 邵建达 
在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3/SiO2紫外双层减反射膜,通过扫描电镜(SEM)和实测反射率谱来验证理论设计的正确性。利用编程计算得到Al2O3和SiO2的最优物理膜厚分别为42.0nm和96.1nm以及参考波长λ=280nm处最小反射率为0.09%。由误差...
关键词：薄膜光学 Al2O3/SiO3双层减反射膜 电子束蒸发 4H—SiC基底 折射率 
一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第3期570-573,共4页杨伟锋 蔡加法 张峰 刘著光 吕英 吴正云 
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电...
关键词：4H-SIC 金属-半导体-金属 一维阵列 响应度 
Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期277-280,共4页杨伟锋 杨克勤 陈厦平 张峰 王良均 吴正云 
采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC...
关键词：4H-SIC Schottky势垒高度 退火 
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