Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究  

Anealing Effect on Cu/, Ni/4H-SiC Schottky Barrier

作　　者：杨伟锋[1] 杨克勤[1] 陈厦平[1] 张峰[1] 王良均 吴正云[1,2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005 [2]厦门大学萨本栋微机电中心,厦门361005

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期277-280,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.

关 键 词：4H-SIC Schottky势垒高度 退火 

分 类 号：O472+.4[理学—半导体物理]