魏莹

作品数：2被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：场效应晶体管锗PIN暗电流红外探测器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外》《微纳电子技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硅基锗PIN红外探测器的数值模拟研究
《红外》2009年第11期35-39,共5页徐敏杰 魏莹 蔡雪原 杨建红 
本文基于漂移扩散模型,对硅基锗PIN红外探测器的电流特性随应变、Ge吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了一种器件优化设计方案。研究结果表明,当Ge应变从0增加到0.3%时,器件的暗电流增大了约50%;当Ge吸收层厚度从1...
关键词：红外探测器 PIN 硅锗 暗电流 应变 
铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性
《微纳电子技术》2008年第12期694-697,共4页蔡雪原 冉金枝 魏莹 杨建红 
针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0～±59μC/cm2)变化时有4...
关键词：GaN基FET 自发极化 铁电材料 载流子浓度 转移特性 跨导 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部