刘英伟

作品数：1被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：京东方科技集团股份有限公司更多>>
发文主题：成膜氧化铟锡TFT薄膜晶体管非晶更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《液晶与显示》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究被引量：1
《液晶与显示》2016年第3期276-282,共7页王灿 陈宁 刘英伟 赵磊 薛大鹏 杜建华 郭炜 王路 
氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用。在高厚度(尤其是大于70nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进...
关键词：薄膜晶体管 非晶氧化铟锡 残留 成膜 刻蚀 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部