云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 朱红兵

朱红兵: 作品数：1被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：华东师范大学理工学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心更多>>; 发文主题：ITO薄膜X射线光电子能谱溅射法制备射频磁控溅射射频磁控更多>>; 发文领域：理学更多>>; 发文期刊：《液晶与显示》更多>>

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低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜(英文)被引量：4: 《液晶与显示》2007年第5期553-559,共7页李晓冬朱红兵褚家宝黄士勇孙卓陈奕卫黄素梅; Supported by Foundations of Pujiang Talented Person Plans (No .05PJ14037) ;Nanotechnology of Shanghai Muni-cipal Science & Technology Committee(No .0552nm042) ;Shanghai-Applied Materials Research and Development Fund (No .0519); 在低真空(2.3×10-3Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜。溅射温度200℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90%氧化铟、10%氧化锡的陶瓷靶。用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构,用X射线光电子能谱表征了薄...; 关键词：氧化铟锡薄膜射频磁控溅射 X射线光电子能谱