王大磊

作品数:1被引量:3H指数:1
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Bi(Ga_xFe_(1-x))O_3-PbTiO_3高温压电陶瓷的结构和介电性能被引量:3
《压电与声光》2013年第4期588-591,共4页冯磊洋 王大磊 石贵阳 金灯仁 程晋荣 
国家自然科学基金资助项目(50872080)
采用传统固相反应法制备了0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiO3(BGF-PT)(x=0.05,0.25,0.40,质量分数)陶瓷。BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09。当x(Ga)=25%时,BGF-PT陶瓷的晶粒分布均匀,Fe元素在局部区域无明显富集,该组分陶...
关键词:0 4Bi(GaxFe1-x)O3-0 6PbTiO3(BGF-PT)压电陶瓷 EDS面扫描 阻抗谱 交流电导率 
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