张育胜

作品数:2被引量:7H指数:1
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供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题:衬底温度硅片辉光放电辉光金属电极更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《电子工业专用设备》《半导体技术》更多>>
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平滑陡直的Si深槽刻蚀方法被引量:7
《半导体技术》2009年第3期214-216,220,共4页张育胜 
中国科学院微电子研究所所长基金项目(07SF074002)
Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积...
关键词:硅深槽刻蚀 电感耦合等离子体 Bosch工艺 化学平衡 
太阳能电池刻蚀机的控制系统研究
《电子工业专用设备》2008年第8期20-22,31,共4页张育胜 
中国科学院微电子研究所所长基金(07SF074002)资助项目
太阳能电池刻蚀机的自动生产流程是逻辑控制系统,提出采用树形结构对逻辑控制系统进行分析,各子系统用树形结构进行设计,终端子系统采用时序图方法进行设计,综合了组合逻辑和时序逻辑控制。此方法应用于自动太阳能电池刻蚀机,提高了系...
关键词:树形结构 逻辑控制 系统 组合逻辑 时序逻辑 时序图 
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