王立伟

作品数：2被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：紫外探测器P-I-NGAN基紫外探测器钝化膜伏安特性更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
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InGaN紫外探测器的制备与性能研究被引量：5
《半导体光电》2014年第5期785-788,共4页卢怡丹 王立伟 张燕 李向阳 
国家自然科学基金资助项目(61204134)
介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱...
关键词：GaN/InGaN P-I-N 紫外探测器 伏安特性 响应光谱 
AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究
《红外与毫米波学报》2014年第4期386-390,共5页刘福浩 许金通 刘飞 王立伟 张燕 李向阳 
国家自然科学基金(61204134;61106097);浙江省科技计划项目(2012C33057)~~
对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究,从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同偏压下的响应光谱表明,这些AlGaN光伏器件中存在较为明显的光导响应特性.光照和暗背景条件下的C-f曲线验...
关键词：光电探测器 负响应 持续光电导 
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