姜涛

作品数:1被引量:1H指数:1
导出分析报告
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题:退火处理ARAFM6H-SIC晶片更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《人工晶体学报》更多>>
所获基金:中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-1
视图:
排序:
Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量:1
《人工晶体学报》2013年第5期865-868,共4页姜涛 严成锋 陈建军 刘熙 杨建华 施尔畏 
国家自然科学青年基金(51002176);中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-EW-W10);江苏省产学联合技术创新基金项目(BY2011119);国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603)
本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成...
关键词:6H-SIC 退火 AFM 台阶结构 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部