施尔畏

作品数：132被引量：1417H指数：23
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供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：晶体生长水热法晶体碳化硅籽晶更多>>
发文领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《中国粉体技术》《无机材料学报》《强激光与粒子束》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市科委纳米专项基金更多>>
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LGT晶体高温电阻率与全矩阵材料系数表征
《无机材料学报》2023年第11期1364-1370,共7页苏茂心 李昕宸 熊开南 王升 陈云琳 涂小牛 施尔畏 
国家重点研发计划(2022YFB3204000);国家自然科学基金重点项目(51832009)。
基于声表面波(Surface acoustic wave,SAW)技术的无线无源器件是在极端条件下工作的首选传感器,其中压电衬底在高温环境下的稳定性是影响SAW器件性能的关键因素。钽酸镓镧(LGT)晶体因电阻率高和稳定性好,是SAW器件理想的高温压电衬底。...
关键词：钽酸镓镧 高温电阻率 封装气氛 高温材料系数 
质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响被引量：1
《无机材料学报》2018年第8期903-908,共6页陈卫宾 刘学超 卓世异 柴骏 施尔畏 
国家自然科学基金青年基金(51602331);国家重点研发计划项目(2016YFB0400401;2017YFB0405700)~~
采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜的缺陷和磁性能进行了研究。磁性测试...
关键词：Yb掺杂ZnO 质子辐照 稀磁半导体 铁磁性 
固态照明中SiC衬底材料产业化关键问题的研究
《中国照明电器》2017年第12期1-6,共6页高攀 忻隽 严成锋 黄维 刘学超 施尔畏 
国家自然科学青年基金(61501437);国家重点研发计划项目(2016YFB0400400);上海市科技创新行动计划项目(17511106200);中国科学院科技服务网络计划项目(KFJ-SW-STS-156)
半导体照明行业已形成数百亿美元的产业规模,其中SiC衬底材料具有非常优异的性能,特别适合制造低能耗、大功率、长寿命的照明器件。本文主要围绕物理气相传输法(PVT)产业化制备大尺寸、低缺陷SiC晶体所需解决的4个关键问题展开研究讨论...
关键词：固态照明 碳化硅 物理气相传输法 晶体生长 
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
《无机材料学报》2017年第2期215-218,共4页王华杰 刘学超 孔海宽 忻隽 高攀 卓世异 施尔畏 
National High-tech R＆D program of China （863 Program, 2014AA032602）; National Key R＆D program （2016YFB0400400） Shanghai Engineering Research Center of Single Crystal Silicon Carbide
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜...
关键词：III-V族半导体 氮化铝(AlN)晶体 六方微米柱 物理气相输运(PVT) 
N-B-Al共掺荧光4H-SiC施主受主对发光性能研究被引量：1
《无机材料学报》2017年第1期51-55,共5页卓世异 刘熙 高攀 严成锋 施尔畏 
施主受主共掺杂的荧光4H-SiC可以通过复合发出可见光,影响其发光性能的一个重要因素是施主–受主掺杂的浓度。本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体,采用Raman光谱、SIMS对晶体的结晶类型和掺杂浓度进行了表征;采用P...
关键词：碳化硅 光致发光 内量子效率 
V掺杂6H-SiC光导开关制备与性能研究被引量：3
《强激光与粒子束》2014年第4期268-271,共4页周天宇 刘学超 代冲冲 黄维 施尔畏 
中国科学院知识创新工程重要方向性项目(KGCX2-YW-206);国家高技术发展计划项目;上海市科技启明星项目(13QA1403800);上海硅酸盐研究所创新基金项目(Y39ZC1110G)
采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关,用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发,在1～14 kV的外加电压范围内对光导开关的耐压特性、导通电阻等性能进行了研究.结果表明：随着开关...
关键词：碳化硅 光导开关 导通电阻 峰值功率 
Sm∶YCOB晶体生长及吸收光谱表征被引量：3
《人工晶体学报》2013年第5期810-814,共5页涂一帆 涂小牛 熊开南 郑燕青 高攀 施尔畏 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2103AA031603)
采用熔体提拉法生长了高质量Sm3+掺杂YCa4O(BO3)3(YCOB)晶体。通过X射线粉末衍射、高分辨X射线衍射摇摆曲线、ICP-AES、吸收光谱等对晶体的性能进行了研究。发现生长的Sm∶YCOB晶体与YCOB晶体具有相同的结构,结晶质量较好,半高宽可达31...
关键词：Sm∶YCOB晶体 提拉法 吸收光谱 
用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：9
《人工晶体学报》2013年第5期819-823,共5页高攀 刘熙 严成锋 忻隽 陈建军 孔海宽 郑燕青 施尔畏 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603);中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目
SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了...
关键词：SIC晶体 原料 粒径 堆积密度 
Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量：1
《人工晶体学报》2013年第5期865-868,共4页姜涛 严成锋 陈建军 刘熙 杨建华 施尔畏 
国家自然科学青年基金(51002176);中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-EW-W10);江苏省产学联合技术创新基金项目(BY2011119);国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603)
本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成...
关键词：6H-SIC 退火 AFM 台阶结构 
升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响
《人工晶体学报》2013年第5期847-850,共4页刘熙 高攀 严成锋 孔海宽 忻隽 陈建军 施尔畏 
中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目
本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现...
关键词：碳化硅 生长速率 有限元 
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