III-V族半导体

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：常虎东刘洪刚任晓敏王虹刘凯更多>>
相关机构：北京科技大学广东致能科技有限公司北京邮电大学中国科学院更多>>
相关期刊：《无机材料学报》更多>>
相关基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
《无机材料学报》2017年第2期215-218,共4页王华杰 刘学超 孔海宽 忻隽 高攀 卓世异 施尔畏 
National High-tech R＆D program of China （863 Program, 2014AA032602）; National Key R＆D program （2016YFB0400400） Shanghai Engineering Research Center of Single Crystal Silicon Carbide
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜...
关键词：III-V族半导体 氮化铝(AlN)晶体 六方微米柱 物理气相输运(PVT) 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部