忻隽

作品数：9被引量：16H指数：2
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供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文主题：晶体生长籽晶坩埚晶体碳化硅更多>>
发文领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
发文期刊：《中国照明电器》《人工晶体学报》《中国学术期刊文摘》《无机材料学报》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院知识创新工程更多>>
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固态照明中SiC衬底材料产业化关键问题的研究
《中国照明电器》2017年第12期1-6,共6页高攀 忻隽 严成锋 黄维 刘学超 施尔畏 
国家自然科学青年基金(61501437);国家重点研发计划项目(2016YFB0400400);上海市科技创新行动计划项目(17511106200);中国科学院科技服务网络计划项目(KFJ-SW-STS-156)
半导体照明行业已形成数百亿美元的产业规模,其中SiC衬底材料具有非常优异的性能,特别适合制造低能耗、大功率、长寿命的照明器件。本文主要围绕物理气相传输法(PVT)产业化制备大尺寸、低缺陷SiC晶体所需解决的4个关键问题展开研究讨论...
关键词：固态照明 碳化硅 物理气相传输法 晶体生长 
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
《无机材料学报》2017年第2期215-218,共4页王华杰 刘学超 孔海宽 忻隽 高攀 卓世异 施尔畏 
National High-tech R＆D program of China （863 Program, 2014AA032602）; National Key R＆D program （2016YFB0400400） Shanghai Engineering Research Center of Single Crystal Silicon Carbide
采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜...
关键词：III-V族半导体 氮化铝(AlN)晶体 六方微米柱 物理气相输运(PVT) 
升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响
《人工晶体学报》2013年第5期847-850,共4页刘熙 高攀 严成锋 孔海宽 忻隽 陈建军 施尔畏 
中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目
本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现...
关键词：碳化硅 生长速率 有限元 
用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究被引量：9
《人工晶体学报》2013年第5期819-823,共5页高攀 刘熙 严成锋 忻隽 陈建军 孔海宽 郑燕青 施尔畏 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603);中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目
SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了...
关键词：SIC晶体 原料 粒径 堆积密度 
拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布被引量：1
《无机材料学报》2012年第6期609-614,共6页郭啸 刘学超 忻隽 杨建华 施尓畏 
中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-EW-W10)~~
采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为2英寸的氮掺杂6H-SiC晶体.采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征,研究了SiC晶体生长过程中多型的产生和演化.在6H-SiC晶体中观察到了15R-...
关键词：拉曼 碳化硅 多型 面扫描 
Si_3N_4晶体的压电性能第一性原理研究
《无机材料学报》2011年第2期180-184,共5页曾一明 郑燕青 忻隽 孔海宽 陈辉 涂小牛 施尔畏 
国家自然科学基金(50772121);中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX-2-YW-206)~~
Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究.对于α相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0.5566nm,弹性刚度系数c11=4.232×1011N/m2、c33=4.615×10...
关键词：SI3N4 压电性能 第一性原理 晶体结构 
高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征被引量：1
《无机材料学报》2010年第12期1257-1262,共6页涂小牛 郑燕青 陈辉 孔海宽 忻隽 曾一明 施尔畏 
中科院知识创新工程重要方向项目(KGCX-2-YW-206);国家863计划(2006AA03Z423);中科院重大科研装备研制项目(YZ200934)~~
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度△n、晶...
关键词：高掺镁铌酸锂晶体 紫外吸收边 OH吸收峰 畴结构 光学均匀性 
材料压电性能的第一性原理计算回顾与展望
《中国学术期刊文摘》2007年第14期5-5,共1页忻隽 郑燕青 施尔畏 
第一性原理计算方法已被广泛应用于材料科学的各个领域．大多数第一性原理计算都是基于密度泛函理论进行的．该文从密度泛函理论的基本原理出发，对第一性原理计算的理论基础作了详细的总结，并介绍了如何使用密度泛函微扰理论计算材料...
关键词：第一性原理计算 压电 密度泛函 
材料压电性能的第一性原理计算回顾与展望被引量：5
《无机材料学报》2007年第2期193-200,共8页忻隽 郑燕青 施尔畏 
国家自然科学基金(50242007);中国科学院知识创新工程;国家863计划(2006AA03Z0423)
第一性原理计算方法已被广泛应用于材料科学的各个领域．大多数第一性原理计算都是基于密度泛函理论进行的．本文从密度泛函理论的基本原理出发,对第一陛原理计算的理论基础作了详细的总结,并介绍了如何使用密度泛函微扰理论计算材料的...
关键词：第一性原理计算 压电 密度泛函 
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