SIC晶体

作品数：40被引量：104H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：徐现刚陈治明胡小波张群社彭同华更多>>
相关机构：中国科学院山东大学西安理工大学山东天岳先进科技股份有限公司更多>>
相关期刊：《山东大学学报（工学版）》《燃气涡轮试验与研究》《电子显微学报》《材料热处理学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金陕西省重大科技创新专项计划项目国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化被引量：7
《人工晶体学报》2022年第3期371-384,共14页卢嘉铮 张辉 郑丽丽 马远 宋德鹏 
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport,PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在...
关键词：8英寸SiC晶体 晶体生长 电阻加热 热场设计 输运机理 物理气相传输 加热器 保温棉 
更好晶面的SiC MOSFET
《半导体信息》2020年第6期2-5,共4页
日本住友电气工业有限公司为SiC MOSFET开发了一种新的结构。它具有V型沟槽,具有更高迁移率的性能。这个开发过程是可以借鉴我们在化合物半导体产品生产方面的丰富经验,其中包括GaN HEMT,GaAs FET以及相关衬底。最近,我们一直在开发SiC...
关键词：化合物半导体 外延衬底 高迁移率 SIC晶体 MOSFET 电气工业 HEMT GaN 
SiC晶体测温判读技术研究被引量：2
《燃气涡轮试验与研究》2020年第3期46-51,共6页吕静雯 蒋洪川 闫帅 李扬 赵丽君 赵晓辉 张万里 
国家自然基金重大研究计划培育项目(91860117)。
针对航空发动机热端部件表面温度准确测量的需求,开展了SiC微型晶体测温判读技术研究。采用中子辐照技术破坏SiC晶体的有序结构,使晶体内部产生缺陷,再通过退火处理消除晶体内部缺陷。拉曼光谱分析结果表明,晶体内部残余缺陷浓度随着退...
关键词：SiC晶体测温 航空发动机 热端部件 晶格参数 标定曲线 判读软件 
He^(2+)注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究
《现代应用物理》2018年第3期45-50,共6页韩驿 彭金鑫 李炳生 王志光 魏孔芳 刘会平 张利民 
国家自然科学基金资助项目(11475229)
利用拉曼光谱研究了He^(2+)注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品...
关键词：碳化硅 离子注入 拉曼光谱 损伤累积 
QORVO新推GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽
《半导体信息》2017年第4期13-13,共1页
Qorvo，Inc．推出新的50VGaN-on-SiC晶体管系列——QPD1004、QPD1014和QPD1011，该晶体管系列可以提高性能、增强功能，并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。这些晶体管针对宽带应用进行过输入匹配处理，并且尺寸小巧，可以...
关键词：公共安全 晶体管 电台 战术 带宽 SIC晶体 增强功能 匹配处理 
SiC晶体测温技术研究被引量：13
《中国测试》2017年第5期1-4,共4页张志学 薛秀生 阮永丰 王振华 张玉新 王维 叶贵明 
针对航空发动机结构复杂和工况条件苛刻的问题,研究基于SiC晶体材料的测温技术,解决航空发动机燃烧室、涡轮和尾喷管等高温部件的测温难题。选取国产6H-SiC晶体作为材料,进行6H-SiC晶体的中子辐照。研究晶体测温的温度判读方法,提出X射...
关键词：院航空发动机 测温技术 SiC晶体材料 晶体缺陷 中子辐照 
强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究
《激光技术》2017年第2期240-246,共7页邓发明 高涛 
国家科技支撑计划资助项目(2014GB111001;2014GB125000);四川省教育厅自然科学基金重点资助项目(16ZA0363)
为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—...
关键词：激光技术 电子特性 密度泛函微扰理论 4H—SiC 激光照射 
热处理在金刚石表面热蒸镀覆SiO_2/SiC晶体复合涂层
《材料热处理学报》2016年第7期180-184,共5页梁宝岩 张旺玺 王艳芝 徐世帅 闫帅帅 王俊和 穆云超 
河南省教育厅重点项目(13A430132;151RTSTHN004);河南省教育厅自然科学研究计划(12A430024;13A430128;14A430007);河南省基础与前沿技术研究计划(132300410164);河南省省院科技合作项目(122106000051;142106000193);河南省科技开放合作项目(142106000051)
采用高温热蒸镀方法处理在金刚石表面镀覆上了SiO_2/SiC晶粒复合涂层,同时研究了热处理温度和Al助剂对金刚石表面形成SiO_2/SiC晶粒复合涂层的影响。研究结果表明,在较低温度(1400℃),金刚石表面形成许多SiC和SiO_2和SiC颗粒。当温度升...
关键词：热镀覆处理 金刚石 二氧化硅/碳化硅复合涂层晶体 铝 
SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究
《电子测试》2016年第12期157-157,151,共2页张竹青 罗玉梅 
本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响。最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结磨料抛光垫,可大幅度提高材料去除效率。
关键词：固结磨料 SIC晶体 化学机械抛光 材料去除率 
第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展被引量：4
《机电工程技术》2016年第3期20-23,共4页郑泰山 阮毅 王寅飞 
广东省科技计划资助项目(编号:2014B070706031)
第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生长方法,SiC晶体生长设备基本构成,设备技术国内外进展情况,最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出...
关键词：第三代半导体 SIC晶体 SiC晶体生长设备 SiC晶体生长工艺 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部