更好晶面的SiC MOSFET  

出　　处：《半导体信息》2020年第6期2-5,共4页Semiconductor Information

摘　　要：日本住友电气工业有限公司为SiC MOSFET开发了一种新的结构。它具有V型沟槽,具有更高迁移率的性能。这个开发过程是可以借鉴我们在化合物半导体产品生产方面的丰富经验,其中包括GaN HEMT,GaAs FET以及相关衬底。最近,我们一直在开发SiC晶体,并开始大规模生产6英寸SiC外延衬底,我们将其称为EpiEra。

关 键 词：化合物半导体 外延衬底 高迁移率 SIC晶体 MOSFET 电气工业 HEMT GaN 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]